Silikon Karbida Sic grafit pijar untuk mencairkan logam dengan suhu tinggi
Prestasi Crucible Silicon Carbide
| Parameter | Data | Parameter | Data |
| SiC | ≥85% | Kekuatan Penghancuran Sejuk | ≥100MPa |
| SiO₂ | ≤10% | Keliangan Jelas | ≤%18 |
| Fe₂O₃ | <1% | Rintangan Suhu | ≥1700°C |
| Ketumpatan pukal | ≥2.60 g/cm³ | Kami boleh menghasilkan mengikut keperluan pelanggan | |
Penerangan
Sebagai sejenis produk refraktori termaju, Pisau grafit silikon karbida adalah bahan refraktori yang ideal dalam industri metalurgi serbuk (tanur terowong besi span besar).Pisau grafit silikon karbida yang dihasilkan oleh Kumpulan Rongsheng menggunakan 98% bahan mentah grafit silikon karbida gred tinggi, dan proses khas ditambah kepada pemilihan bahan mentah untuk memastikan ketulenan tinggi bahan mentah.
Pisau grafit silikon karbida digunakan secara meluas dalam industri kimia, bahan negatif dan besi span, peleburan logam, penjanaan kuasa fotovoltaik, medan kuasa nuklear dan pelbagai relau, seperti relau frekuensi sederhana, relau elektromagnet, relau rintangan, relau kristal karbon, relau zarah, dan lain-lain.
Aplikasi
Silicon Carbide Graphite Crucible telah menjadi pilihan popular untuk loji kimia, pembuat besi dan keluli, pengeluar kuasa fotovoltaik dan penjana kuasa nuklear.Ia juga sesuai untuk digunakan dalam pelbagai jenis relau seperti frekuensi sederhana, elektromagnet, rintangan, kristal karbon dan relau zarah kerana kekonduksian haba yang sangat baik, rintangan suhu tinggi, rintangan kakisan yang unggul dan rintangan kepada kejutan haba.
Kelebihan cawan Gufan Sic
Pisau grafit silikon karbida yang dihasilkan oleh Gufan Carbon Co.Ltd.mempunyai ciri-ciri fleksibiliti yang baik, tidak mudah retak, dan hayat perkhidmatan yang panjang, dan juga kapasiti besar sagger meningkatkan output, menjamin kualiti, menjimatkan tenaga kerja dan banyak kos.
Arahan Dan Awas Untuk Pisau Grafit
Produk Berkaitan
-
Pisau Grafit Silikon Karbida Untuk Mencairkan M...
Barangan Silikon Carbide Crucible Property Kandungan Sic Tempeatue esisstance Kandungan Cabon Appaent Poosity Bulk Density Data ≥48% ≥1650°C ≥30%-45% ≤%18-%25 ≥1.9-2.1g/cm3 Nota:Kami boleh melaraskan kandungan setiap aw mateial untuk poduce the cucible accoding customes' equiement.Silicon Cabide Cucible Kelebihan Kekuatan tinggi Kekonduksian temal yang baik Pengembangan temal rendah Ketahanan haba tinggi Ketahanan tinggi ...
-
Graf Wadah Sic Silicon Carbide Ketulenan Tinggi...
Silicon Carbide Crucible Performance Parameter Data Parameter Data SiC ≥85% Kekuatan Penghancuran Sejuk ≥100MPa SiO₂ ≤10% Keliangan Jelas ≤%18 Fe₂O₃ <1% Rintangan Suhu ≥1700°C Ketumpatan Pukal ≳ Kami boleh menghasilkan Ketumpatan Pukal ≥1700°C g2³60 mengikut pelanggan Kekonduksian terma yang sangat baik --- Ia mempunyai...
-
Wadah Silikon Grafit Untuk Klas Peleburan Logam...
Parameter Teknikal Untuk Tanah Liat Graphite Crucible SIC C Modulus Pecah Suhu Rintangan Ketumpatan Pukal Keliangan Nyata ≥ 40% ≥ 35% ≥10Mpa 1790℃ ≥2.2 G/CM3 ≤15% Nota:Kami boleh melaraskan kandungan setiap bahan mentah untuk menghasilkan bahan mentah mengikut keperluan pelanggan.Penerangan Grafit yang digunakan dalam mangkuk pijar ini biasanya dibuat...
